Kurze Einführung
Schnelle Wiederherstellungsdiodenmodule , MZ x40 0,Luftkühlung ,von TECHSEM produziert.
VRRM |
Typ & Umriss |
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600V
800V
1000V
1200V
1400V
1600V
1800V
1800V
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MZx400-06-410F3
MZx400-08-410F3
MZx400-10-410F3
MZx400-12-410F3
MZx400-14-410F3
MZx400-16-410F3
MZx400-18-410F3
MZ400-18-410F3G
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Merkmale ：
- Isolierte Montagesockel 3000V~
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Druckkontakttechnologie mit Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
- Platz- und Gewichtseinsparung
Typische Anwendungen ：
- Wechselrichter
- Induktionsheizung
- Chopper
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Symbol
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Eigenschaften
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Prüfbedingungen
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Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit
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Min |
TYP |
Max |
IF(AV) |
Mittlerer Vorwärtsstrom |
180。halbe Sinuswelle 50Hz
Einseitig gekühlt, TC=85 。C
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140
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400 |
A |
IF (RMS) |
RMS-Vorwärtsstrom |
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628 |
A |
IRRM |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VRRM |
140 |
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90 |
mA |
IFSM |
Überspannungsstrom |
10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM |
140
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9.5 |
kA |
I 2t |
I2t für Fusionskoordination |
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451 |
103A 2s |
VFO |
Schwellenspannung |
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140
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1.10 |
V |
rF |
Vorwärtssteigungswiderstand |
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0.27 |
mΩ |
VFM |
Spitzenvorwärtsspannung |
IFM= 1200A |
25 |
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2.00 |
V |
trr |
Rückwärts-Rückgewinnungszeit |
IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V |
140 |
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4 |
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μs |
25 |
|
3 |
|
μs |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
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0.090 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
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0.020 |
℃ /W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
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3000 |
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V |
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FM
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Drehmoment der Endverbindung ((M12) |
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12.0 |
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14.0 |
N·m |
Das Drehmoment für die Montage ((M8) |
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10.0 |
|
12.0 |
N·m |
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
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-40 |
|
140 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
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|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
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3310 |
|
g |
Gliederung |
410F3 |
EN
